三星的QLC第九代V-NAND将提供更高的存储容量和性能，同时在AI工作负载下保持高效能。
三星实施多项技术以大规模生产第九代四级单元V-NAND，专为AI应用设计
几个月前，三星开始大规模生产其首款TLC（三级单元）第九代V-NAND，提供了50%的比特密度提升。今天，它宣布开始大规模生产QLC第九代V-NAND，以实现高性能和高效能的AI应用操作。QLC V-NAND通过多种技术的结合生产，达到了目前可能的最高层数。
图片来源: Samsung.com
QLC或四级单元V-NAND引入了通道孔蚀刻、设计模具和预测编程，以确保内存在紧凑的尺寸内达到高密度，同时提供更好的读写操作可靠性。
三星闪存产品与技术执行副总裁SungHoi Hur表示：
“在TLC版本发布仅四个月后成功启动QLC第九代V-NAND的大规模生产，使我们能够提供全面的先进SSD解决方案，以满足AI时代的需求。”
他还指出，三星的使命是巩固其在存储领域的领导地位，因为企业SSD市场正在快速增长，对更好硬件以运行AI应用的需求也在增加。为了确保公司在竞争中保持领先，QLC第九代V-NAND将首先应用于品牌消费产品，并逐步扩展到UFS、PC和服务器SSD。
- 三星的通道孔蚀刻技术使其在行业内实现了最高的层数，采用双堆叠结构
- QLC V-NAND的密度比上一代QLC V-NAND高出86%
- 采用设计模具技术使数据保留性能比之前版本提高了约20%，从而增强了产品的可靠性。
- 三星的QLC第九代V-NAND通过技术进步使写入性能翻倍，数据输入/输出速度提高了60%。
- 通过低功耗设计技术，数据读取和写入的功耗分别减少了约30%和50%。
通过通道孔蚀刻，三星可以创建垂直通道，以便在堆叠的V-NAND单元中进行数据传输。凭借这项技术，三星能够提供比以往NAND内存更高的层数。此外，采用双堆叠结构，内存层将在芯片内以两个独立堆叠的形式排列，确保在提高密度的同时降低热量产生，密度提高了86%。
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接下来是设计模具技术，它将调整字线的间距，并确保各层单元的一致性。这将帮助QLC V-NAND实现一致和可靠的性能，数据保留性能几乎提高20%。另一项使用的技术是预测编程，它将优化数据写入NAND单元的方式。通过预测写入操作中单元的状态，这将防止不必要的更改，从而使读取和写入数据的性能提高约60%。
三星正在努力通过提供高效能和高性能的NAND来满足AI市场的需求，同时还在扩展其移动和计算设备的产品线。
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