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三星推出第九代QLC V-NAND,满足AI应用的高效能需求

电脑资讯2个月前更新 灰ゝ色
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三星的QLC第九代V-NAND将提供更高的存储容量和性能,同时在AI工作负载下保持高效能。

三星实施多项技术以大规模生产第九代四级单元V-NAND,专为AI应用设计

几个月前,三星开始大规模生产其首款TLC(三级单元)第九代V-NAND,提供了50%的比特密度提升。今天,它宣布开始大规模生产QLC第九代V-NAND,以实现高性能和高效能的AI应用操作。QLC V-NAND通过多种技术的结合生产,达到了目前可能的最高层数。

三星推出第九代QLC V-NAND,满足AI应用的高效能需求
图片来源: Samsung.com

QLC或四级单元V-NAND引入了通道孔蚀刻、设计模具和预测编程,以确保内存在紧凑的尺寸内达到高密度,同时提供更好的读写操作可靠性。

三星闪存产品与技术执行副总裁SungHoi Hur表示:

“在TLC版本发布仅四个月后成功启动QLC第九代V-NAND的大规模生产,使我们能够提供全面的先进SSD解决方案,以满足AI时代的需求。”

他还指出,三星的使命是巩固其在存储领域的领导地位,因为企业SSD市场正在快速增长,对更好硬件以运行AI应用的需求也在增加。为了确保公司在竞争中保持领先,QLC第九代V-NAND将首先应用于品牌消费产品,并逐步扩展到UFS、PC和服务器SSD。

  • 三星的通道孔蚀刻技术使其在行业内实现了最高的层数,采用双堆叠结构
  • QLC V-NAND的密度比上一代QLC V-NAND高出86%
  • 采用设计模具技术使数据保留性能比之前版本提高了约20%,从而增强了产品的可靠性。
  • 三星的QLC第九代V-NAND通过技术进步使写入性能翻倍,数据输入/输出速度提高了60%。
  • 通过低功耗设计技术,数据读取和写入的功耗分别减少了约30%和50%。

通过通道孔蚀刻,三星可以创建垂直通道,以便在堆叠的V-NAND单元中进行数据传输。凭借这项技术,三星能够提供比以往NAND内存更高的层数。此外,采用双堆叠结构,内存层将在芯片内以两个独立堆叠的形式排列,确保在提高密度的同时降低热量产生,密度提高了86%。

三星推出第九代QLC V-NAND,满足AI应用的高效能需求
图片来源: Samsung.com

接下来是设计模具技术,它将调整字线的间距,并确保各层单元的一致性。这将帮助QLC V-NAND实现一致和可靠的性能,数据保留性能几乎提高20%。另一项使用的技术是预测编程,它将优化数据写入NAND单元的方式。通过预测写入操作中单元的状态,这将防止不必要的更改,从而使读取和写入数据的性能提高约60%。

三星正在努力通过提供高效能和高性能的NAND来满足AI市场的需求,同时还在扩展其移动和计算设备的产品线。

新闻来源: Samsung

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