是否42.5 Gbps的GDDR7模块最终会出现在显卡上，仍然是三星的一项技术突破。
三星将在ISSCC上展示其超快的GDDR7内存，速度比旗舰GDDR6快约77%
ISSCC特别活动将于2月16日至2月20日在加利福尼亚州旧金山举行，届时芯片制造商将展示其旗舰产品。活动将包括一个专门的“非易失性内存和DRAM”会议，定于2月19日举行。尽管这不是一个公开活动，但日程安排已在ISSCC网站上向公众开放。
在此次活动中，三星将展示其旗舰GDDR7 DRAM，运行速度高达42.5 Gbps。这将是一个24 Gb或3 GB的模块，旨在实现最佳的GDDR7性能，同时比其前身更加节能。GDDR7 DRAM已经比GDDR6快得多，但目前42.5 Gbps的模块对于GPU来说仍然太高，无法发布。
尽管如此，它可能会出现在未来的产品中，例如NVIDIA的RTX 60系列显卡。目前，NVIDIA计划为其Blackwell RTX 50系列GPU配备高达28 Gbps的GDDR7模块。这个速度已经比RTX 4090上旗舰的24 Gbps GDDR6内存速度高出4 Gbps。然而，42.5 Gbps的内存速度比24 Gbps GDDR6 DRAM高出约77%。
不幸的是，我们并没有在大多数GPU上看到24 Gbps的GDDR6内存速度，包括AMD的旗舰RX 7900 XTX和XT GPU，甚至NVIDIA的旗舰RTX 4090 GPU。这些模块的内存速度分别为20 Gbps和21 Gbps。因此，即使在未来的GPU上，42.5 Gbps也不一定会实现。
目前，NVIDIA的旗舰Blackwell GeForce RTX 5090 GPU将使用28 Gbps的内存，未来几代产品可能会提升到超过30 Gbps，就像我们看到GDDR6模块的演变一样。据报道，RTX 5090将配备32 GB的GDDR7内存，采用512位内存总线，这将导致1.7-2.0 TB/s的内存带宽。这已经比RTX 4090高出1.7到2.0倍，理论上，如果RTX 5090的显存能够达到42.5 Gbps，内存带宽将接近2.5 Gbps。
ISSCC的非易失性和DRAM活动还将举办SK海力士的演示，展示其最新的321层4D NAND，最近已进入量产状态。
新闻来源：ISSCC
