美光公司更新了其下一代HBM4和HBM4E工艺，透露预计将在2026年启动大规模生产。
美光将利用台积电的代工服务生产HBM4的逻辑半导体，与SK海力士齐头并进
HBM4确实是HBM市场的未来“圣杯”，主要因为该技术承诺带来尖端的性能和效率数据，这是提升AI计算能力的关键。美光与SK海力士和三星等公司一起，正在争夺HBM4的主导地位。在最近的投资者会议上，该公司透露其HBM4开发进展顺利，并表示“HBM4E的工作已经开始”，这确实令人兴奋。
借助于坚实的基础和对成熟的1β工艺技术的持续投资，我们预计美光的HBM4将保持市场时间和功率效率的领先地位，同时性能将比HBM3E提升超过50%。我们预计HBM4将在2026年实现高产量。
HBM4E的开发工作正在与多个客户进行，这将紧随HBM4之后。HBM4E将在内存业务中引入范式转变，为某些客户提供定制逻辑基片的选项，采用来自台积电的先进逻辑代工制造工艺。我们预计这种定制能力将推动美光的财务表现提升。
– 美光
对于那些不太了解的人来说，HBM4在许多方面都是革命性的，但这里有一个有趣的点是，行业计划将内存和逻辑半导体集成到一个封装中。这意味着不再需要封装技术，并且由于单个芯片将更加接近这一实施，性能效率将大大提高。这就是美光提到将使用台积电作为其“逻辑半导体”供应商的原因，类似于SK海力士的做法。
美光还提到HBM4E工艺的存在，成为与SK海力士一起首个公开该技术开发的公司。虽然我们目前对美光的HBM4系列规格尚不确定，但该公司确实透露，HBM4预计将堆叠最多16个32GB容量的DRAM芯片，并且具有2048位宽的接口，使该技术远超前一代产品。
在采用方面，HBM4预计将出现在NVIDIA的Rubin AI架构中，以及AMD的Instinct MI400系列中，因此该工艺将获得广泛的市场认可。当前HBM的需求处于高峰，美光公司透露到2025年生产线已经被预订，因此未来将更加光明。
