CCD堆栈上的AMD Ryzen 7 9800X3D的3D V-Cache总厚度仅为40-45微米，但其余层的总厚度达到惊人的750微米，这些层虽然完全没有功能，但对于稳定性却至关重要。
AMD在Ryzen 7 9800X3D的CCD中使用厚层无功能硅，侧面延伸SRAM以确保结构稳定
AMD Ryzen 7 9800X3D令人惊叹的游戏性能无需介绍。在推出3D V-Cache技术的Ryzen 7 5800X3D后，AMD首次改变了3D堆栈在基板上的布局。在之前的X3D处理器中，3D芯片堆叠在核心复杂 die 之上，使核心能够直接访问所有额外的L3缓存内存，但9800X3D则将3D芯片放置在CCD的下面。
这个小而重要的变化导致了更低的温度，并解锁了AMD Ryzen 7 9800X3D的超频潜力，使其即使在基准时钟下也能达到4.7 GHz。然而，CCD设计与之前的X3D芯片相比有些不同。半导体分析师Tom Wassick分析了9800X3D的CCD，并发现上面的硅大部分是相当无用的。
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这并不是说它没有目的，而是它在操作中完全没有参与。CCD和SRAM硅层分别仅为7.2微米和6微米，而包括互连在内的总芯片堆叠仅为40-45微米。然而，总的CCD厚度约为800微米，这留下了750微米的硅层。这些厚层不包含任何功能部件，而是为了增强结构支持并提供更多保护。
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由于SRAM和CCD层相对较薄，因此它们相当脆弱，在制造或处理过程中可能会导致损坏。通过增加无功能硅，解决了这一问题。除了无功能硅外，SRAM硅层也延伸到侧面50微米，以达到同样的目的。
图像来源：AMD
总而言之，这是确保整个3D芯片堆栈可靠和稳定运行所需的设计。AMD通过这种设计解决了很多问题，除了将SRAM放在CCD下面以确保核心可以直接得到冷却以外。
新闻来源：@wassickt
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