报告称，Apple可以跳过TSMC的高级“ SOIC-MH”包装，称该技术可以应用于M5 Pro和更强大的SOCS

台积电采用了新的封装技术，以进一步提升其在第一代3nm工艺及更新工艺上大规模生产的芯片组的特性。台湾巨头的小型封装集成电路模塑-水平封装（SoIC-MH）旨在改善热性能和电气性能，从而提高SoC的“每瓦性能”。不幸的是，尽管据报道苹果已经开始量产其M5，但这种封装可能不会应用于M5，反而可能在M5 Pro中首次亮相。

从3nm‘N3E’和3nm‘N3P’跳跃而来未能实现效率提升，可能是苹果考虑为M5 Pro过渡到SoIC-MH的原因

尚不清楚M5与M5 Pro之间为何会存在巨大的差异，但ETNews在其报告中并未提及基础的苹果硅芯片会与更强大的变体共享同一封装技术。至于科技巨头为何可能在这两款芯片之间引入一些差异，显而易见的原因就是成本。然而，我们注意到，台积电的3nm N3E和N3P技术声称仅实现了可怜的5-10%的效率提升。

这种限制意味着苹果可能被迫在M5 Pro上保持CPU和GPU核心数量，同时仅专注于稍微提升时钟速度。这种做法可能不会在M5 Pro与M4 Pro之间产生重大差异，导致苹果硅芯片所在的机器销售不佳。借助台积电的SoIC-MH技术，它还采用垂直堆叠芯片，增加电路层，带来更好的性能，M5 Pro可能成为一股不容忽视的力量。

M5 Max和M5 Ultra同样可能采用这种封装，尽管报告并未明确提到这两款芯片会使用SoIC-MH。我们希望看到这一技术的应用，但需要注意的是，由于目前没有任何信息得到验证，因此对所有这些信息持保留态度，我们将会带来更多更新。

新闻来源：ETNews