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拜登政府通过制裁“GAA”工艺技术来阻止中国人工智能半导体的发展

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拜登政府目前正在考虑对中国实施进一步的 “ “限制,这将阻碍 “GAA “半导体技术的使用。

中国人工智能半导体发展迅猛令拜登政府苦恼,计划采取进一步措施

中美在科技产业制裁方面的敌对情绪达到了历史最高点,拜登政府似乎决心终止中国大陆大规模的半导体发展。彭博社现在报道称,美国计划采取措施,限制中国获得 “全能门”(Gate-All-Around)半导体技术,以减少中国在半导体方面的进展,最终避免在人工智能的炒作中获得牵引力。

说到 GAA 技术,它被视为实现高端半导体工艺的重要技术之一。它包括在晶体管的整个通道上使用 “栅极电极”,以防止电流泄漏并提供更好的静电控制。这将大大提高功率效率,改善散热和性能。除了三星公司的 3nm GAA 工艺和即将推出的 2nm 节点外,GAA 技术还没有得到广泛采用,但目前这种方法的应用范围还很有限。

拜登政府通过制裁“GAA”工艺技术来阻止中国人工智能半导体的发展
一名三星工程师手持公司首批 3 纳米 GAA 晶圆

美国的目的在于切断中国在半导体发展方面的前进能力,因为中国已经取得了一些令人震惊的进步。据报道,华为启动了 5 纳米工艺的开发,并提高了现有 7 纳米工艺的良品率,此外,据说中国顶级半导体代工厂中芯国际已经在不使用 EUV 光刻技术的情况下启动并运行了 5 纳米工艺,因此该地区取得了一些令人振奋的进展,这让美国感到不安。

美国将如何采取措施影响中国半导体的增长,我们拭目以待,但以往的事例证明,简单的制裁在这里起不了多大作用。

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