西部数据在最近的投资者会议上展示了全球首款 2Tb 3D QLC NAND 闪存，树立了新的行业标杆。
西部数据最新 NAND 闪存以 2 Tb 3D QLC 为目标，面向人工智能领域，带来惊人的性能和效率数据
西部数据展示的新型尖端 NAND 闪存芯片出乎意料，该公司展示了首款 2Tb 3D QLC NAND 芯片，令我们大吃一惊。该芯片目前处于原型阶段，该公司表示，与现有市场技术相比，该 NAND 芯片提供了市场上最高的密度和潜在的更快性能。
有趣的是，该公司还公布了几个数据来支持他们的说法，让我们了解一旦新的 NAND 闪存芯片进入市场，市场会有什么变化。
我很高兴与大家分享 BiCS8 2Tb 3D QLC 芯片的预览。我们设计这款芯片是为了满足数据中心和 AI 存储需求。我们很快就会发布这款产品，但我今天想与大家分享。这恰好是世界上容量最高的内存芯片。
– WD Flash 业务执行副总裁兼总经理 Robert Soderbery
WD 表示，他们最新的 NAND 内存芯片专门针对 AI 和数据中心应用，与此同时，该公司相信可以打破存储行业的传统壁垒。具体来说，新的 2Tb 3D QLC NAND 采用了与 Kioxia 合作开发的 218 层 BiCS8 节点，它是新 NAND 内存芯片功能的基础。据西部数据介绍，借助 2Tb 3D QLC NAND 芯片，制造商可以在单个 16 芯片封装上提供 4TB 的存储容量，而仅通过四颗闪存芯片即可实现 1TB 的配置。
西部数据表示，在性能数据方面，新款 NAND 芯片的内存密度比上一代高出 50%，领先竞争对手 15% 至 19%。此外，NAND 芯片的 I/O 性能速度提高了 50%，同时功耗降低了 13%。
总体而言，新的 2Tb 3D QLC NAND 芯片将成为市场的突破，因为它将大量满足大规模存储市场的需求。随着性能和效率数据的提高，采用迫在眉睫。
