SK hynix（SK 海力士）宣布其高端 12 层 HBM3E 内存的量产，推动向下一个 AI 计算时代的过渡。
SK 海力士成为首家宣布生产 12 层 HBM3E 内存的公司，面向 AI 市场
[新闻稿]: SK 海力士今天宣布，已开始量产全球首款 36GB 的 12 层 HBM3E 产品，这是迄今为止现有 HBM 中最大的容量。该公司计划在今年内向客户供应量产产品，再次证明其卓越的技术，六个月前于今年 3 月首次向客户交付行业内首款 HBM3E 8 层产品。
图片来源：SK 海力士
自 2013 年发布全球首款 HBM 以来，SK 海力士是全球唯一一家从第一代（HBM1）到第五代（HBM3E）开发并供应整个 HBM 产品线的公司。该公司计划继续在 AI 内存市场保持领导地位，通过率先在行业内量产 12 层 HBM3E 来满足 AI 公司日益增长的需求。
根据公司介绍，12 层 HBM3E 产品在速度、容量和稳定性等 AI 内存的所有关键领域均符合世界最高标准。SK 海力士将内存操作速度提高至 9.6 Gbps，这是目前可用的最高内存速度。如果使用四个 HBM3E 产品的单个 GPU 驱动大型语言模型（LLM）“Llama 3 70B”，则可以在一秒钟内读取 700 亿个参数 35 次。
SK 海力士再次突破技术极限，展示了我们在 AI 内存领域的行业领导地位。我们将继续作为全球第一的 AI 内存供应商，稳步准备下一代内存产品，以应对 AI 时代的挑战。
– Justin Kim, SK 海力士 AI 基础设施总裁
图片来源：SK 海力士
SK 海力士通过将 12 层 3GB DRAM 芯片堆叠在与之前八层产品相同的厚度下，增加了 50% 的容量。为此，该公司将每个 DRAM 芯片的厚度降低了 40%，并使用 TSV 技术进行垂直堆叠。该公司还通过应用其核心技术——先进的 MR-MUF 工艺，解决了因堆叠更薄芯片而产生的结构问题。
这使得与上一代相比，散热性能提高了 10%，并通过增强翘曲控制确保了产品的稳定性和可靠性。
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