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台积电将于今年年底接收 ASML 高数值孔径 EUV 设备,耗资高达 3.5 亿美元

电脑资讯3周前更新 gy.J
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台湾半导体巨头台积电(TSMC)将在2024年底前收到来自ASML的首批高NA极紫外光(EUV)光刻设备,这标志着向下一代工艺的过渡。

台积电决定在市场竞争中转向高NA设备,可能会与A14及更先进工艺一起使用

高NA设备的使用现在被视为芯片制造商的“高端”选择,半导体行业的三大巨头——三星、和台积电——都在争相获取ASML的高NA设备。有趣的是,最初有报道称台积电并没有计划收购ASML的高NA技术,主要是因为集成设备和在台积电台湾设施中安置机器的高成本。但之前的报告披露,台积电的高NA计划正在稳步推进,因为它渴望在行业中保持平衡。

《日经亚洲》报道称,台积电的高NA设备预计将在今年交付,台湾巨头可能是首批获得该设备的公司之一。据说台积电将收到ASML的Twinscan EXE:5000高NA光刻设备,该设备具有8nm的分辨率和13.5nm的EUV光波长。该系统将使芯片制造商能够生产出小1.7倍的芯片,晶体管密度将提高至2.9倍。ASML表示,Twinscan EXE:5000拥有行业最高的生产力,因此对于台积电来说,获得高NA设备无疑是一个巨大的胜利。

台积电将于今年年底接收 ASML 高数值孔径 EUV 设备,耗资高达 3.5 亿美元
图片来源:ASML

然而,有一个有趣的事实是,这台机器的单价高达约3.5亿美元,这确实是一个巨大的数额。这就是为什么高NA目前被称为半导体市场的“圣杯”。考虑到英特尔计划收购五到六台高NA EUV机器,蓝队确实在全力以赴推进下一代工艺。

在实施方面,台积电的高NA EUV预计将在其1.4nm(A14)工艺中展现其魔力,该工艺计划于2027年量产。特别关注热潮,台积电计划通过使用高NA来提升市场竞争力。随着竞争对手采取类似的策略,可以说未来的节点在性能差距方面将变得更加有趣。

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