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台积电将于今年年底接收 ASML 高数值孔径 EUV 设备,耗资高达 3.5 亿美元

电脑资讯1个月前更新 gy.J
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台湾巨头台积电(TSMC)将在2024年底之前收到来自ASML的首批高NA EUV光刻设备,标志着向下一代工艺的过渡。

台积电决定在市场竞争中转向高NA设备,可能将其应用于A14及更先进的工艺

高NA设备的使用现在被视为芯片制造商的“优质”选择,看起来半导体竞争中的三大巨头——三星、和台积电——都希望获得ASML的高NA设备。有趣的是,最初有报道称台积电没有计划收购ASML的高NA技术,主要是由于集成设备和安置机器在台积电台湾设施中所需的高成本。但是,之前的报告披露,台积电的高NA计划正在按轨道推进,因为它渴望在行业中保持平衡。

《日经亚洲》报道,台积电的高NA设备预计将在今年交付,台湾巨头可能成为首批获得该设备的公司之一。据说台积电将收到ASML的Twinscan EXE:5000高NA光刻设备,该设备具有8nm的分辨率和13.5nm的EUV光波长。该系统将使芯片制造商能够生产尺寸缩小1.7倍的芯片,晶体管密度将提高到2.9倍。ASML表示,Twinscan EXE:5000具有行业最高的生产效率,因此对于台湾巨头来说,获取高NA设备绝对是一个胜利。

台积电将于今年年底接收 ASML 高数值孔径 EUV 设备,耗资高达 3.5 亿美元
图像来源:ASML

然而,有趣的是,这台机器的单台成本高达约3.5亿美元,这确实是一个巨大的金额。因此,有人说高NA目前是半导体市场的“圣杯”。考虑到英特尔计划收购五到六台高NA EUV机器,蓝队确实在下一代工艺上全力以赴。

在实施方面,台积电的高NA EUV计划将在其1.4nm(A14)工艺中展现其魔力,该工艺计划于2027年进行大规模生产。特别关注热潮,台积电计划通过使用高NA来加大市场竞争。随着竞争对手采取类似的方法,可以毫不夸张地说,未来的节点在性能差距方面肯定会变得更加有趣。

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