Rambus详细介绍了其下一代HBM4内存控制器，该控制器将比现有的HBM3和HBM3E解决方案提供显著的提升。
HBM4将开启AI与数据中心演进的新篇章，提供更快的内存速度和更高的堆叠容量
随着JEDEC接近HBM4内存规范的最终确定，我们首次了解了下一代解决方案将提供的内容。HBM4内存解决方案主要面向AI和数据中心市场，将继续扩展现有HBM DRAM设计的能力。
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首先，Rambus宣布其HBM4内存控制器将提供每个引脚超过6.4 Gb/s的速度，这应该比第一代HBM3解决方案更快，同时在相同的16层堆叠和64 GB最大容量设计下提供比HBM3E更高的带宽。HBM4的起始带宽为1638 GB/s，比HBM3E高出33%，是HBM3的两倍。
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目前，HBM3E解决方案的速度可达9.6 Gb/s，每个堆叠的带宽可达1.229 TB/s。HBM4内存解决方案将提供高达10 Gb/s的速度和每个HBM接口高达2.56 GB/s的带宽。这将比HBM3E提高超过两倍，但HBM4内存的全部能力需要一段时间才能显现，只有在良率提升后才能访问。HBM4内存解决方案的其他特性包括ECC、RMW（读-修改-写）、错误清除等。
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目前，SK海力士已开始大规模生产其12层HBM3E内存，容量高达36 GB，速度为9.6 Gbps，而其下一代HBM4内存预计将在本月完成流片。同时，三星预计将在2025年底前开始大规模生产其HBM4内存，本季度内将完成流片。
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目前，预计NVIDIA的Rubin GPU将在2026年推出，将成为首个支持HBM4内存的AI平台，而Instinct MI400也预计将利用这一下一代设计，但AMD尚未确认。
HBM内存规格比较
DRAM | HBM1 | HBM2 | HBM2e | HBM3 | HBM3E | 下一代 (HBM4)
| I/O (总线接口) | 1024 | 1024 | 1024 | 1024 | 1024-2048 | 1024-2048 |
| 预取 (I/O) | 2 | 2 | 2 | 2 | 2 | 2 |
| 最大带宽 | 128 GB/s | 256 GB/s | 460.8 GB/s | 819.2 GB/s | 1.2 TB/s | 1.5 – 2.56 TB/s |
| 每堆叠DRAM IC数量 | 4 | 8 | 8 | 12 | 8-16 | 8-16 |
| 最大容量 | 4 GB | 8 GB | 16 GB | 24 GB | 24 – 36 GB | 36-64 GB |
| tRC | 48ns | 45ns | 45ns | TBA | TBA | TBA |
| tCCD | 2ns (=1tCK) | 2ns (=1tCK) | 2ns (=1tCK) | TBA | TBA | TBA |
| VPP | 外部VPP | 外部VPP | 外部VPP | 外部VPP | 外部VPP | TBA |
| VDD | 1.2V | 1.2V | 1.2V | TBA | TBA | TBA |
| 命令输入 | 双命令 | 双命令 | 双命令 | 双命令 | 双命令 | 双命令 |
